Epitaxia selectiva y recrecimiento lateral de GaAs e InGaAs sobre sustratos HfO2/GaAs nanoestructurados. Efecto del hidrógeno atómico como surfactante

Tesis Doctoral inédita, leída en la Universidad Autónoma de Madrid, Facultad de Ciencias, Departamento de Física Aplicada. Fecha de lectura: 20-07-2012

Detalles Bibliográficos
Autor: Benedicto Córdoba , Marcos
Tipo de recurso: tesis doctoral
Fecha de publicación:2012
País:España
Institución:Universidad Autónoma de Madrid
Repositorio:Biblos-e Archivo. Repositorio Institucional de la UAM
Idioma:español
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Acceso en línea:http://hdl.handle.net/10486/11669
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Palabra clave:Nanostructuras - Tesis doctorales
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