Benedicto Córdoba , M. (2012). Epitaxia selectiva y recrecimiento lateral de GaAs e InGaAs sobre sustratos HfO2/GaAs nanoestructurados. Efecto del hidrógeno atómico como surfactante.
Citación estilo ChicagoBenedicto Córdoba , Marcos. Epitaxia Selectiva Y Recrecimiento Lateral De GaAs E InGaAs Sobre Sustratos HfO2/GaAs Nanoestructurados. Efecto Del Hidrógeno Atómico Como Surfactante. 2012.
Cita MLABenedicto Córdoba , Marcos. Epitaxia Selectiva Y Recrecimiento Lateral De GaAs E InGaAs Sobre Sustratos HfO2/GaAs Nanoestructurados. Efecto Del Hidrógeno Atómico Como Surfactante. 2012.
Precaución: Estas citas no son 100% exactas.