Fotodetectores de infrarrojo basados en semiconductores hiperdopados compatibles con la tecnología CMOS
Los semiconductores hiperdopados han experimentado un desarrollo significativo en poco más de una década y se están utilizando para ampliar hacia otros rangos espectrales las propiedades optoelectrónicas de los semiconductores tradicionales, como el silicio (Si) y el germanio (Ge). Estos materiales...
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Fecha de publicación: | 2024 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad Complutense de Madrid (UCM) |
| Repositorio: | Docta Complutense |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:docta.ucm.es:20.500.14352/110887 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.14352/110887 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | 621.38(043.2) Semiconductores Semiconductors Electrónica (Física) 2203 Electrónica |
| Sumario: | Los semiconductores hiperdopados han experimentado un desarrollo significativo en poco más de una década y se están utilizando para ampliar hacia otros rangos espectrales las propiedades optoelectrónicas de los semiconductores tradicionales, como el silicio (Si) y el germanio (Ge). Estos materiales semiconductores del grupo IV, especialmente el silicio, desempeñan un papel dominante en el ámbito de la microelectrónica. Esto se debe a una serie de razones, siendo una de las más destacadas su abundancia, ya que el silicio es el material sólido más abundante en la corteza terrestre. Además, presenta una capa de óxido térmicamente estable con propiedades aislantes y pasivantes esenciales para la fabricación microelectrónica. Estas ventajas, entre otras, hacen que el silicio acapare más del 95 % de la producción en el campo dela microelectrónica, respaldado por tecnología de bajo costo y ampliamente desarrollada para su uso industrial... |
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