Estudio correlativo de propiedades electrónicas locales de GaSb mediante microscopías electrónica y túnel de barrido
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Fecha de publicación: | 2006 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad Complutense de Madrid (UCM) |
| Repositorio: | Docta Complutense |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:docta.ucm.es:20.500.14352/56083 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.14352/56083 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | 621.38(043.2)(0.034) Semiconductores Electrónica (Física) |
| Descripción no disponible. |