Produção e caracterização de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por descarga luminescente a 60hz.

Apresentamos neste trabalho uma técnica alternativa para a obtenção de filmes finos de silício amorfo hidrogenado (&#945-Si:H). Nós depositamos &#945-Si:H em um sistema de deposição que utiliza descarga luminescente a baixas freqüências (60Hz). Para tanto, nós projetamos todo o reator para q...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Fragalli, Jose Fernando
Tipo de recurso: tesis doctoral
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:1994
País:Brasil
Institución:Universidade de São Paulo (USP)
Repositorio:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Idioma:portugués
OAI Identifier:oai:teses.usp.br:tde-09062009-090951
Acceso en línea:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-09062009-090951/
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Descarga luminescente
Electrical properties
Glow discharge
Hydrogenated amorphous silicon
Optical properties
Propriedades elétricas
Propriedades estruturais
Propriedades ópticas
Silício amorfo hidrogenado
Structural properties
Descripción
Sumario:Apresentamos neste trabalho uma técnica alternativa para a obtenção de filmes finos de silício amorfo hidrogenado (&#945-Si:H). Nós depositamos &#945-Si:H em um sistema de deposição que utiliza descarga luminescente a baixas freqüências (60Hz). Para tanto, nós projetamos todo o reator para que este objetivo pudesse ser atingido. Os filmes obtidos por nós mostram propriedades ópticas e eletrônicas bastante próximas aquelas dos filmes produzidos pela técnica convencional de descarga luminescente a radiofreqüência (13,56 MHz). A temperatura do substrato ótima para a técnica de descarga luminescente a baixas freqüências está na faixa 150-170&#176C, em torno de 100&#176C menor do que aquela usada para radiofreqüência. Neste trabalho nós apresentamos medidas das propriedades dos filmes, incluindo condutividade no escuro, fotocondutividade, comprimento de difusão ambipolar, absorção no infra-vermelho, gap óptico, e densidade de defeitos de níveis profundos. Para realizar parte destas medidas, nós construímos sistemas experimentais de caracterização exclusivos para o &#945-Si:H.

Similares en LA Referencia