Estudos de relaxação magnética em filmes de Fe75Co25 com forte anisotropia induzida
Nesta dissertação investigamos propriedades estáticas e dinâmicas de filmes de Fe75Co25 crescidos pela técnica de sputtering. Os filmes foram crescidos inclinados em relação à direção de deposição. Esta técnica induz microestruturas inclinadas que levam ao aparecimento de uma anisotropia uniaxial mu...
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2022 |
| País: | Brasil |
| Institución: | Universidade Federal de Pernambuco (UFPE) |
| Repositorio: | Repositório Institucional da UFPE |
| Idioma: | portugués |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.ufpe.br:123456789/49409 |
| Acceso en línea: | https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/49409 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Física da matéria condensada e de materiais Filmes finos magnéticos Ressonância ferromagnética Relaxação Sputtering |
| Sumario: | Nesta dissertação investigamos propriedades estáticas e dinâmicas de filmes de Fe75Co25 crescidos pela técnica de sputtering. Os filmes foram crescidos inclinados em relação à direção de deposição. Esta técnica induz microestruturas inclinadas que levam ao aparecimento de uma anisotropia uniaxial muito forte no plano da amostra. O ângulo de inclinação usado no processo de deposição variou de 0º a 40º, com intervalos de 5º. Utilizamos a técnica de ressonância ferromagnética para investigar a dependência angular do campo de ressonância e da largura de linha para cada amostra. Os dados experimentais foram analisados com base em um modelo fenomenológico que leva em consideração a energia livre magnética. O modelo permite ajustar a dependência angular do campo de ressonância e largura de linha. A partir dos ajustes extraímos os seguintes parâmetros físicos: fator de Landé, magnetização efetiva, parâmetro de amortecimento de Gilbert, campos de anisotropia no plano e perpendicular ao plano, etc. Também fizemos uma investigação preliminar do efeito de magnetorresistência anisotrópica, no qual a resistividade elétrica depende do ângulo relativo entre a direção da magnetização e da corrente. Os resultados também foram analisadas pelo mesmo modelo fenomenológico. |
|---|