Bipolaritons em uma microcavidade semicondutora
Nesta dissertação estudamos a emissão de bipolaritons em uma micricavidade semicondutora. Bipolaritons são formados pelo acoplamento forte entre fótons e biexcitons presentes no poço quântico de GaAs dentro da microcavidade. Através de medidas de fotoluminescência, foi possível mostrar que a emissão...
| Autor: | |
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| Formato: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2006 |
| País: | Brasil |
| Recursos: | Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG) |
| Repositorio: | Repositório Institucional da UFMG |
| Idioma: | portugués |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.ufmg.br:1843/IACO-6W9PQ4 |
| Acesso em linha: | http://hdl.handle.net/1843/IACO-6W9PQ4 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | Semicondutora Física Acoplamentos Fótons Biéxcitons Bipolaritons Microcavidade semicondutora Arseneto de gálio |
| Resumo: | Nesta dissertação estudamos a emissão de bipolaritons em uma micricavidade semicondutora. Bipolaritons são formados pelo acoplamento forte entre fótons e biexcitons presentes no poço quântico de GaAs dentro da microcavidade. Através de medidas de fotoluminescência, foi possível mostrar que a emissão de bipolaritons acontece quando dessintonizamos a cavidade com relação a energia do éxciton. Pequenas larguras de linhas foram medidas, da ordem de 150 ?eV e alta intensidade de emissão. Através de medidas mudando-se a polarização do laser de bombeio, pudemos verificar as regras de seleção para ciração de biexcitons em poços quânticos. |
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