Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1−xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2021 |
| País: | Brasil |
| Institución: | Universidade de São Paulo (USP) |
| Repositorio: | Repositório Institucional da USP (Biblioteca Digital da Produção Intelectual) |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | 003040393 |
| Acceso en línea: | https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.161019 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR |
| Descripción no disponible. |