Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs
Orientador : Jacobus Willibrordus Swart
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2001 |
| País: | Brasil |
| Institución: | Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) |
| Repositorio: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) |
| Idioma: | portugués |
| OAI Identifier: | oai::229035 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12733/1591708 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Transistores bipolares Epitaxia por feixe molecular Crescimento Carbono Berilio |
| Sumario: | Orientador : Jacobus Willibrordus Swart |
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