GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2016 |
| País: | Brasil |
| Institución: | Universidade de São Paulo (USP) |
| Repositorio: | Repositório Institucional da USP (Biblioteca Digital da Produção Intelectual) |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | 002902376 |
| Acceso en línea: | https://doi.org/10.1109/led.2016.2595398 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | SILÍCIO |
| Descripción no disponible. |