Películas delgadas de semiconductores en medios acuosos
En este trabajo se determinan las propiedades electrónicas de películas delgadasde CdS en contacto con un electrolito acuoso, para lo cual se desarrolló la técnica deconductancia superficial in-situ y se demostró su aplicabilidad para el estudio de otraspelículas semiconductoras. Se desarrolló un mo...
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1999 |
| País: | Argentina |
| Institución: | Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales |
| Repositorio: | Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | tesis:tesis_n3170_Alcober |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n3170_Alcober |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | CONDUCTANCIA SUPERFICIAL PELICULAS DELGADAS INTERFAZ SEMICONDUCTOR/ELECTROLITO CDS SURFACE CONDUCTANCE POLYCRISTALLINE SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTOR/ELECTROLYTE INTERFACE THIN FILMS |
| Sumario: | En este trabajo se determinan las propiedades electrónicas de películas delgadasde CdS en contacto con un electrolito acuoso, para lo cual se desarrolló la técnica deconductancia superficial in-situ y se demostró su aplicabilidad para el estudio de otraspelículas semiconductoras. Se desarrolló un modelo que describe la interfaz semiconductor policristalino /electrolito teniendo en cuenta explícitamente la presencia de barreras intergrano. Estemodelo describe la interfaz de las películas delgadas de CdS y fue aplicado para lainterpretación de los resultados experimentales. A partir de los datos de espectroscopía de impedancia electroquimica,transmitancia modulada y conductancia superficial se determinó el potencial de bandaplana, la densidad de portadores libres, la altura de barreras intergranos y sudependencia con el potencial. |
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