Evidencia óptica de semiconducción directa en γ´-Bi2MoO6
La fase γ´-Bi2MoO6 ha sido alternativamente descripta como un conductor iónico puro o mixto. Medidas de reflectancia difusa en el rango de 200 a 850 nm, a temperatura ambiente, sobre muestras sinterizadas de este compuesto confirman la segunda alternativa. La función de remisión de Kubelka-Munk es c...
| Autores: | , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2006 |
| País: | Argentina |
| Institución: | Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
| Repositorio: | CONICET Digital (CONICET) |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:ri.conicet.gov.ar:11336/82046 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/11336/82046 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | https://purl.org/becyt/ford/1.4 https://purl.org/becyt/ford/1 |
| Sumario: | La fase γ´-Bi2MoO6 ha sido alternativamente descripta como un conductor iónico puro o mixto. Medidas de reflectancia difusa en el rango de 200 a 850 nm, a temperatura ambiente, sobre muestras sinterizadas de este compuesto confirman la segunda alternativa. La función de remisión de Kubelka-Munk es consistente con una banda prohibida de 2.9 eV y el coeficiente de absorción se caracteriza por una dependencia cuadrática con la energía referida a este origen, consistente con carácter directo. |
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