Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)
En este trabajo se realiza el cálculo de la estructura electrónica y de la energía total para el estado fundamental del germanio y de los compuestos binarios galio-fosforo y silicio-carbón usando el método LMTO-ASA. Con la teoría del funcional de la densidad (DFT) se calcula un potencial inicial de...
| Autores: | , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2015 |
| País: | Perú |
| Institución: | Universidad Nacional Mayor de San Marcos |
| Repositorio: | Revistas - Universidad Nacional Mayor de San Marcos |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe:article/11718 |
| Acceso en línea: | https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/quim/article/view/11718 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Orbitales LMTO bandas de energía densidad de estados |
| Sumario: | En este trabajo se realiza el cálculo de la estructura electrónica y de la energía total para el estado fundamental del germanio y de los compuestos binarios galio-fosforo y silicio-carbón usando el método LMTO-ASA. Con la teoría del funcional de la densidad (DFT) se calcula un potencial inicial de interacción en la aproximación de la densidad local de spin (LDA) para el término de intercambio y correlación. Con este potencial se resuelve la ecuación de Kohn-Sham para el sistema cristalino y se obtienen las bandas de energía y la densidad de estados (DOS). |
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