Celdas solares de películas delgadas en base a óxidos semiconductores: Ti3O5, Bi2O3

En este trabajo se presentan los primeros resultados de la elaboración y caracterización de celdas solares de película delgada en base a óxidos semiconductores: Unión Schottky Oxido de Titanio (Ti3O5) y Aluminio (Al), Unión pn Oxido de Bismuto (Bi203) y Oxido de cobre (Cu20). Las películas de óxido...

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Detalles Bibliográficos
Autores: Castillo Ocaña, Guido Juvenal, Rodríguez, Sandro, Gutiérrez Rivera, Luis, Maldonado, César, Valera Palacios, Aníbal
Tipo de recurso: artículo
Fecha de publicación:2000
País:Perú
Institución:Universidad Nacional de Ingeniería
Repositorio:UNI-Tesis
Idioma:español
OAI Identifier:oai:cybertesis.uni.edu.pe:20.500.14076/14457
Acceso en línea:http://hdl.handle.net/20.500.14076/14457
https://doi.org/10.21754/tecnia.v10i2.463
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Celdas solares
Óxidos semiconductores
Descripción
Sumario:En este trabajo se presentan los primeros resultados de la elaboración y caracterización de celdas solares de película delgada en base a óxidos semiconductores: Unión Schottky Oxido de Titanio (Ti3O5) y Aluminio (Al), Unión pn Oxido de Bismuto (Bi203) y Oxido de cobre (Cu20). Las películas de óxido de titanio (p) fueron elaboradas por el Método de evaporación al vacío. Las películas de óxido de Bismuto (n) fueron elaboradas por tratamiento térmico de capas de Bismuto evaporadas al vacío. Se presentan los resultados de las mediciones efectuadas en las películas semiconductoras de óxido de titanio y óxido de Bismuto y la eficiencia cuántica espectral resultante de las celdas solares construidas. Finalmente se presenta la interpretación teórica de los resultados observados.