Películas delgadas de óxidos conductores transparentes formados de (CdO) x (ZnO) 1-x
En este trabajo se presenta la preparación de películas delgadas (PD´s) intrínsecas é impurificadas con flúor y aluminio de (CdO)0.24(ZnO)0.76, utilizando la técnica de sol-gel, para usarse como óxido conductor transparente. Las PD´s se obtuvieron a partir de una mezcla de dos soluciones precursoras...
| Autores: | , , |
|---|---|
| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2010 |
| País: | México |
| Institución: | Instituto Politécnico Nacional |
| Repositorio: | Repositorio Digital del IPN |
| OAI Identifier: | oai:www.repositoriodigital.ipn.mx:123456789/11081 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/123456789/594 http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11081 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Peliculas delgadas (CdO) x (ZnO) 1-x |
| Sumario: | En este trabajo se presenta la preparación de películas delgadas (PD´s) intrínsecas é impurificadas con flúor y aluminio de (CdO)0.24(ZnO)0.76, utilizando la técnica de sol-gel, para usarse como óxido conductor transparente. Las PD´s se obtuvieron a partir de una mezcla de dos soluciones precursoras utilizadas en la obtención de PD´s de CdO y ZnO. La concentración de Al y F, en la solución precursora, fueron 1% y 2% respectivamente. Las PD´s fueron depositadas por el método de inmersión-remosión sobre substratos de vidrio portaobjeto. Para su caracterización, se utilizaron la espectroscopia UV-Vis, resistividad de cuatro puntas, perfilometría y difracción de rayos X (DRX). Los resultados de DRX muestran que las películas son policristalinas y están formadas de una mezcla de CdO y ZnO. Después del tratamiento térmico en atmósfera controlada de forming gas las películas alcanzaron resistividades del orden de 10-2 Ω-cm para espesores de alrededor de los 5500Å; y transmisión óptica por arriba del 90%. Trabajo adicional se propone para buscar disminuir la resistividad eléctrica a valores tales que se pueda utilizar a gran escala con un procedimiento de preparación más económico y sencillo que los actuales usados para la obtención de PD´s de ITO. (Indium Tin Oxide) |
|---|