Estudio del fenómeno de la modulación cruzada de la polarización en amplificadores ópticos de semiconductor masivos
En el presente trabajo, se estudia teórica y experimentalmente al fenómeno de la Modulación Cruzada de la Polarización (XPolM) en Amplificadores Ópticos de Semiconductor Masivos (AOSM), con el fin de determinar las causas que lo provocan. El estudio teórico muestra que la variación longitudinal de l...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2004 |
| País: | México |
| Institución: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/3870 |
| Acceso en línea: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3870 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Autor/Amplificador Óptico de Semiconductor, Modulación Cruzada de la Polarización, láseres de semiconductor, teoría de modos acoplados, estado de polarización info:eu-repo/classification/Autor/Semiconductor Optical Amplifiers, Cross Polarization Modulation, semiconductor lasers info:eu-repo/classification/cti/7 info:eu-repo/classification/cti/33 info:eu-repo/classification/cti/3325 info:eu-repo/classification/cti/330714 |
| Sumario: | En el presente trabajo, se estudia teórica y experimentalmente al fenómeno de la Modulación Cruzada de la Polarización (XPolM) en Amplificadores Ópticos de Semiconductor Masivos (AOSM), con el fin de determinar las causas que lo provocan. El estudio teórico muestra que la variación longitudinal de la densidad de portadores, provoca variaciones longitudinales en el índice de refracción y en los factores de confinamiento modales de la región activa, lo cual a su vez modifica la propagación de los modos TE y TM del AOSM. Además, la variación longitudinal del índice de refracción provoca que se susciten las condiciones adecuadas para permitir un acoplamiento modal TE-TM. En el estudio teórico se propone la hipótesis de que la XPolM es provocada por tres fenómenos que se sucitan simultáneamente: una modificación de la birrefringencia estructural del dispositivo, a la cual se le denomina birrefringencia inducida, que es consecuencia de la variación longitudinal del índice de refracción de la región activa; una dispersión de la ganancia modal, consecuencia de la variación longitudinal del factor de confinamiento (el cual es un factor determinante en el cálculo de la ganancia de simple paso) y un acoplamiento de potencia entre componentes TM-TE del haz que se propaga dentro de la región activa del amplificador. Tomando en cuenta estos fenómenos, se genera un modelo simple basado en la teoría de modos acoplados que permite simular numéricamente a la XPolM. Los experimentos desarrollados muestran que el modelo permite predecir el comportamiento de la evolución de los estados de polarización de uno o dos haces que emergen de un AOS. |
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