Estados de entrada acústicos en sistemas unidimensionales de silicio poroso

“El fenómeno de estados de entrada se manifiesta cuando un sistema con una baja densidad de estados (estados de entrada), se acopla con otro que posee una densidad de estados mucho mayor (mar de estados), como resultado del acoplamiento la amplitud del es-pectro de energías o frecuencias del sistema...

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Detalhes bibliográficos
Autores: GARCIA FLORES, YASSER ALEXANDER; 711001, García Flores, Yasser Alexander
Formato: tesis de maestría
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2018
País:México
Recursos:Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Repositorio:Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP
Idioma:español
OAI Identifier:oai:repositorioinstitucional.buap.mx:20.500.12371/8243
Acesso em linha:https://hdl.handle.net/20.500.12371/8243
Access Level:acceso abierto
Palavra-chave:CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
Sistemas cuánticos
Conductores unidimensionales
Materiales porosos--Investigación
Materiales porosos--Propiedades acústicas
Materiales acústicos--Pruebas
id MX_ea46db22abe5453edf03e68aea4eb483
oai_identifier_str oai:repositorioinstitucional.buap.mx:20.500.12371/8243
network_acronym_str MX
network_name_str México
repository_id_str
spelling Estados de entrada acústicos en sistemas unidimensionales de silicio porosoGARCIA FLORES, YASSER ALEXANDER; 711001García Flores, Yasser AlexanderCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRASistemas cuánticosConductores unidimensionalesMateriales porosos--InvestigaciónMateriales porosos--Propiedades acústicasMateriales acústicos--Pruebas“El fenómeno de estados de entrada se manifiesta cuando un sistema con una baja densidad de estados (estados de entrada), se acopla con otro que posee una densidad de estados mucho mayor (mar de estados), como resultado del acoplamiento la amplitud del es-pectro de energías o frecuencias del sistema completo se distribuyen alrededor de los estados de entrada, es decir, los estados con energías o frecuencias cercanas a las de los estados de entrada se amplifican, mientras que los estados con energías o frecuencias distantes a éstos disminuyen su amplitud. Este fenómeno tiene lugar cuando el sistema acoplado es excitado por un agente externo. El estudio teórico del fenómeno de estados de entrada se lleva a cabo a través de simulaciones numéricas para un sistema de capas de silicio poroso con diferentes espesores y porosidades. Se consideran tres capas acopladas”.Benemérita Universidad Autónoma de PueblaLAZCANO ORTIZ, ZORAYDA; 50311DIAZ DE ANDA, ALFREDO; 229024Lazcano Ortíz, ZoraydaDíaz de Anda, Alfredo2020-10-08T17:53:25Z2020-10-08T17:53:25Z2018-04masterThesisMaestríainfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12371/8243reponame:Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAPinstname:Benemérita Universidad Autónoma de Pueblainstacron:BUAPspahttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0openAccessinfo:eu-repo/semantics/openAccessoai:repositorioinstitucional.buap.mx:20.500.12371/82432026-02-23T03:07:50Z
dc.title.none.fl_str_mv Estados de entrada acústicos en sistemas unidimensionales de silicio poroso
title Estados de entrada acústicos en sistemas unidimensionales de silicio poroso
spellingShingle Estados de entrada acústicos en sistemas unidimensionales de silicio poroso
GARCIA FLORES, YASSER ALEXANDER; 711001
CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
Sistemas cuánticos
Conductores unidimensionales
Materiales porosos--Investigación
Materiales porosos--Propiedades acústicas
Materiales acústicos--Pruebas
title_short Estados de entrada acústicos en sistemas unidimensionales de silicio poroso
title_full Estados de entrada acústicos en sistemas unidimensionales de silicio poroso
title_fullStr Estados de entrada acústicos en sistemas unidimensionales de silicio poroso
title_full_unstemmed Estados de entrada acústicos en sistemas unidimensionales de silicio poroso
title_sort Estados de entrada acústicos en sistemas unidimensionales de silicio poroso
dc.creator.none.fl_str_mv GARCIA FLORES, YASSER ALEXANDER; 711001
García Flores, Yasser Alexander
author GARCIA FLORES, YASSER ALEXANDER; 711001
author_facet GARCIA FLORES, YASSER ALEXANDER; 711001
García Flores, Yasser Alexander
author_role author
author2 García Flores, Yasser Alexander
author2_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv LAZCANO ORTIZ, ZORAYDA; 50311
DIAZ DE ANDA, ALFREDO; 229024
Lazcano Ortíz, Zorayda
Díaz de Anda, Alfredo
dc.subject.none.fl_str_mv CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
Sistemas cuánticos
Conductores unidimensionales
Materiales porosos--Investigación
Materiales porosos--Propiedades acústicas
Materiales acústicos--Pruebas
topic CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
Sistemas cuánticos
Conductores unidimensionales
Materiales porosos--Investigación
Materiales porosos--Propiedades acústicas
Materiales acústicos--Pruebas
description “El fenómeno de estados de entrada se manifiesta cuando un sistema con una baja densidad de estados (estados de entrada), se acopla con otro que posee una densidad de estados mucho mayor (mar de estados), como resultado del acoplamiento la amplitud del es-pectro de energías o frecuencias del sistema completo se distribuyen alrededor de los estados de entrada, es decir, los estados con energías o frecuencias cercanas a las de los estados de entrada se amplifican, mientras que los estados con energías o frecuencias distantes a éstos disminuyen su amplitud. Este fenómeno tiene lugar cuando el sistema acoplado es excitado por un agente externo. El estudio teórico del fenómeno de estados de entrada se lleva a cabo a través de simulaciones numéricas para un sistema de capas de silicio poroso con diferentes espesores y porosidades. Se consideran tres capas acopladas”.
publishDate 2018
dc.date.none.fl_str_mv 2018-04
2020-10-08T17:53:25Z
2020-10-08T17:53:25Z
dc.type.none.fl_str_mv masterThesis
Maestría
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12371/8243
url https://hdl.handle.net/20.500.12371/8243
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
openAccess
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
publisher.none.fl_str_mv Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP
instname:Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
instacron:BUAP
instname_str Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
instacron_str BUAP
institution BUAP
reponame_str Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP
collection Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP
repository.name.fl_str_mv
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1858177509484396544
score 14,964248