SÍNTESIS DE PELÍCULAS DELGADAS DE MnGe2 MEDIANTE LA TÉCNICA DE EROSIÓN CATÓDICA SOBRE SUSTRATOS DE Ge(001) y InAs(001)

En el presente trabajo, se estudió el crecimiento cristalino de películas delgadas de MnGe2, el cual es un material semiconductor magnético diluido (SMD) que presenta interesantes propiedades magnéticas y posible aplicación en dispositivos espintrónicos. Las películas delgadas de MnGe2 se depositaro...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: DAVID GUTIERREZ NARANJO
Tipo de recurso: tesis de maestría
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2014
País:México
Institución:Centro de Investigación en Materiales Avanzados
Repositorio:Fuente de Objetos Científicos Open Access del CIMAV
Idioma:español
OAI Identifier:oai:cimav.repositorioinstitucional.mx:1004/98
Acceso en línea:http://cimav.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1004/98
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:info:eu-repo/classification/cti/2
info:eu-repo/classification/cti/23
id MX_e6f3baad2c4e675a52f2da55e4d18a6a
oai_identifier_str oai:cimav.repositorioinstitucional.mx:1004/98
network_acronym_str MX
network_name_str México
repository_id_str
spelling SÍNTESIS DE PELÍCULAS DELGADAS DE MnGe2 MEDIANTE LA TÉCNICA DE EROSIÓN CATÓDICA SOBRE SUSTRATOS DE Ge(001) y InAs(001)DAVID GUTIERREZ NARANJOinfo:eu-repo/classification/cti/2info:eu-repo/classification/cti/23info:eu-repo/classification/cti/23En el presente trabajo, se estudió el crecimiento cristalino de películas delgadas de MnGe2, el cual es un material semiconductor magnético diluido (SMD) que presenta interesantes propiedades magnéticas y posible aplicación en dispositivos espintrónicos. Las películas delgadas de MnGe2 se depositaron sobre sustratos de Ge(001) y InAs(001) mediante la técnica de pulverización catódica o sputtering. La microscopía electrónica de barrido (SEM) permitió la medición de espesores para la obtención de las curvas de calibración empleadas en el cálculo de las potencias en el crecimiento de las películas delgadas de MnGe2 mediante co-depósito en RF-sputtering. Hemos comprobado la influencia de la temperatura de crecimiento en la solubilidad del Mn en Ge y la homogeneidad de las películas delgadas de MnGe2 siendo la temperatura ideal para el crecimiento alrededor de 80°C. La caracterización de estructural se efectuó por medio de microscopía electrónica de transmisión (TEM) que junto con un análisis utilizando el software de cristalografía Carine, se obtuvieron los parámetros de red, las direcciones de crecimiento y las relaciones epitaxiales. Mediante difracción de rayos X (XRD) se confirma el crecimiento de únicamente la estructura tetragonal del MnGe2 descartando con ello la formación de nanocolumnas de MnGe2 con estructura cúbica en forma de diamante. Se observó a partir de las mediciones magnéticas que la temperatura de Curie del MnGe2 se encuentra debajo de la temperatura ambiente y se estimó el momento magnético por átomo de Mn en 1.0 µB.SION FEDERICO OLIVE MENDEZ2014-11info:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionapplication/pdfhttp://cimav.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1004/98reponame:Fuente de Objetos Científicos Open Access del CIMAVinstname:Centro de Investigación en Materiales Avanzadosinstacron:CIMAVspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0oai:cimav.repositorioinstitucional.mx:1004/982024-08-28T03:18:50Z
dc.title.none.fl_str_mv SÍNTESIS DE PELÍCULAS DELGADAS DE MnGe2 MEDIANTE LA TÉCNICA DE EROSIÓN CATÓDICA SOBRE SUSTRATOS DE Ge(001) y InAs(001)
title SÍNTESIS DE PELÍCULAS DELGADAS DE MnGe2 MEDIANTE LA TÉCNICA DE EROSIÓN CATÓDICA SOBRE SUSTRATOS DE Ge(001) y InAs(001)
spellingShingle SÍNTESIS DE PELÍCULAS DELGADAS DE MnGe2 MEDIANTE LA TÉCNICA DE EROSIÓN CATÓDICA SOBRE SUSTRATOS DE Ge(001) y InAs(001)
DAVID GUTIERREZ NARANJO
info:eu-repo/classification/cti/2
info:eu-repo/classification/cti/23
info:eu-repo/classification/cti/23
title_short SÍNTESIS DE PELÍCULAS DELGADAS DE MnGe2 MEDIANTE LA TÉCNICA DE EROSIÓN CATÓDICA SOBRE SUSTRATOS DE Ge(001) y InAs(001)
title_full SÍNTESIS DE PELÍCULAS DELGADAS DE MnGe2 MEDIANTE LA TÉCNICA DE EROSIÓN CATÓDICA SOBRE SUSTRATOS DE Ge(001) y InAs(001)
title_fullStr SÍNTESIS DE PELÍCULAS DELGADAS DE MnGe2 MEDIANTE LA TÉCNICA DE EROSIÓN CATÓDICA SOBRE SUSTRATOS DE Ge(001) y InAs(001)
title_full_unstemmed SÍNTESIS DE PELÍCULAS DELGADAS DE MnGe2 MEDIANTE LA TÉCNICA DE EROSIÓN CATÓDICA SOBRE SUSTRATOS DE Ge(001) y InAs(001)
title_sort SÍNTESIS DE PELÍCULAS DELGADAS DE MnGe2 MEDIANTE LA TÉCNICA DE EROSIÓN CATÓDICA SOBRE SUSTRATOS DE Ge(001) y InAs(001)
dc.creator.none.fl_str_mv DAVID GUTIERREZ NARANJO
author DAVID GUTIERREZ NARANJO
author_facet DAVID GUTIERREZ NARANJO
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv SION FEDERICO OLIVE MENDEZ
dc.subject.none.fl_str_mv info:eu-repo/classification/cti/2
info:eu-repo/classification/cti/23
info:eu-repo/classification/cti/23
topic info:eu-repo/classification/cti/2
info:eu-repo/classification/cti/23
info:eu-repo/classification/cti/23
description En el presente trabajo, se estudió el crecimiento cristalino de películas delgadas de MnGe2, el cual es un material semiconductor magnético diluido (SMD) que presenta interesantes propiedades magnéticas y posible aplicación en dispositivos espintrónicos. Las películas delgadas de MnGe2 se depositaron sobre sustratos de Ge(001) y InAs(001) mediante la técnica de pulverización catódica o sputtering. La microscopía electrónica de barrido (SEM) permitió la medición de espesores para la obtención de las curvas de calibración empleadas en el cálculo de las potencias en el crecimiento de las películas delgadas de MnGe2 mediante co-depósito en RF-sputtering. Hemos comprobado la influencia de la temperatura de crecimiento en la solubilidad del Mn en Ge y la homogeneidad de las películas delgadas de MnGe2 siendo la temperatura ideal para el crecimiento alrededor de 80°C. La caracterización de estructural se efectuó por medio de microscopía electrónica de transmisión (TEM) que junto con un análisis utilizando el software de cristalografía Carine, se obtuvieron los parámetros de red, las direcciones de crecimiento y las relaciones epitaxiales. Mediante difracción de rayos X (XRD) se confirma el crecimiento de únicamente la estructura tetragonal del MnGe2 descartando con ello la formación de nanocolumnas de MnGe2 con estructura cúbica en forma de diamante. Se observó a partir de las mediciones magnéticas que la temperatura de Curie del MnGe2 se encuentra debajo de la temperatura ambiente y se estimó el momento magnético por átomo de Mn en 1.0 µB.
publishDate 2014
dc.date.none.fl_str_mv 2014-11
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://cimav.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1004/98
url http://cimav.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1004/98
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
http://creativecommons.org/licenses/by/4.0
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv http://creativecommons.org/licenses/by/4.0
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Fuente de Objetos Científicos Open Access del CIMAV
instname:Centro de Investigación en Materiales Avanzados
instacron:CIMAV
instname_str Centro de Investigación en Materiales Avanzados
instacron_str CIMAV
institution CIMAV
reponame_str Fuente de Objetos Científicos Open Access del CIMAV
collection Fuente de Objetos Científicos Open Access del CIMAV
repository.name.fl_str_mv
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1858177455304474624
score 14,964248