Sistema semiconductor a base de nanopartículas de plata/poli(N-vinilcarbazol)/polianilina, para aplicación en fotoánodos de celdas fotovoltaicas

En este trabajo se desarrolló un sistema semiconductor a base de nanopartículas de plata/poli(N-vinilcarbazol)/polianilina para ser aplicado como componente de fotoánodos de celdas solares sensibilizadas por colorantes (DSSC). En primer lugar se sintetizaron las nanopartículas de plata a través del...

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Detalhes bibliográficos
Autor: BARBARA ISABEL FARIAS MANCILLA
Formato: tesis de maestría
Estado:Versión enviada para evaluación y publicación
Fecha de publicación:2016
País:México
Recursos:Centro de Investigación en Materiales Avanzados
Repositorio:Fuente de Objetos Científicos Open Access del CIMAV
Idioma:español
OAI Identifier:oai:cimav.repositorioinstitucional.mx:1004/2334
Acesso em linha:http://cimav.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1004/2334
Access Level:acceso abierto
Palavra-chave:info:eu-repo/classification/SEM/XRD
info:eu-repo/classification/cti/2
info:eu-repo/classification/cti/23
info:eu-repo/classification/cti/2307
info:eu-repo/classification/cti/221099
Descrição
Resumo:En este trabajo se desarrolló un sistema semiconductor a base de nanopartículas de plata/poli(N-vinilcarbazol)/polianilina para ser aplicado como componente de fotoánodos de celdas solares sensibilizadas por colorantes (DSSC). En primer lugar se sintetizaron las nanopartículas de plata a través del método de poliol. Posteriormente se obtuvieron oligómeros de poli(N-vinilcarbazol) (PVK) vía RAFT. Los sistemas semiconductores fueron obtenidos por dos vías: una mezcla física de nanopartículas de plata con PVK y síntesis de nanopartículas de plata in situ. La caracterización de las nanopartículas de plata se llevó a cabo mediante microscopía electrónica de barrido (SEM), difracción de rayos X (XRD) y espectroscopía de absorción UV-vis. El PVK fue caracterizado mediante cromatografía de permeación en gel (GPC), y espectroscopía de impedancia principalmente. Las nanofibras de PAni se caracterizaron mediante STEM, voltametría cíclica y espectroscopía de impedancia. Los sistemas semiconductores fueron evaluados mediante espectroscopia de impedancia para obtener la resistencia a la transferencia de carga (Rp). El sistema semiconductor 1 presentó un valor de 3742 , el cual es menor al del TiO2 (5077 ), que es el material más utilizado como semiconductor en fotoánodos para DSSC. Aunado a esto, también se encontró que posee la capacidad de absorber luz en las regiones del UV, visible e IR cercano, lo cual es una gran ventaja ante el TiO2.