Deposición selectiva de cobre utilizando CVD
La deposición química de vapor (CVD) es una técnica que se ha utilizado con éxito para obtener películas metálicas delgadas de cobre. Adicionalmente, mediante el tratamiento previo del substrato se puede depositar selectivamente, esto es, recubrir sólo aquellas regiones predeterminadas del substrato...
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2000 |
| País: | México |
| Institución: | Universidad Autónoma de Zacatecas |
| Repositorio: | Redalyc-UAZ |
| OAI Identifier: | oai:redalyc.org:47544404 |
| Acceso en línea: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=47544404 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Química CVD cobre película deposición selectiva deposición química de vapor |
| Sumario: | La deposición química de vapor (CVD) es una técnica que se ha utilizado con éxito para obtener películas metálicas delgadas de cobre. Adicionalmente, mediante el tratamiento previo del substrato se puede depositar selectivamente, esto es, recubrir sólo aquellas regiones predeterminadas del substrato. En este trabajo se presentanlos resultados de la producción in situ de semillas de algunos metalesempleados con éxito en el depósito selectivo de Cu sobre obleas de silicio. |
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