Preparación y caracterización de películas de SiOC: Eu para su posible aplicación en dispositivos electroluminiscentes
"Esta tesis nace con el interés de obtener materiales emisores de luz a base de silicio como es el SiOC que puede presentar mejoras en sus propiedades fotoluminiscentes, ya que se han realizado investigaciones para entender y optimizar sus propiedades estructurales y ópticas. El SiOC generalmen...
| Autores: | , |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2021 |
| País: | México |
| Institución: | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla |
| Repositorio: | Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:repositorioinstitucional.buap.mx:20.500.12371/20634 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12371/20634 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA Materiales nanoestructurados--Síntesis Películas delgadas--Materiales Compuestos de silicio Iones de tierras raras Fotoluminiscencia--Investigación |
| Sumario: | "Esta tesis nace con el interés de obtener materiales emisores de luz a base de silicio como es el SiOC que puede presentar mejoras en sus propiedades fotoluminiscentes, ya que se han realizado investigaciones para entender y optimizar sus propiedades estructurales y ópticas. El SiOC generalmente presenta una fuerte emisión de luz blanca cuando se excita con luz azul y es registrada como una matriz huésped prometedora en la que un incremento en la cantidad de defectos en el material y la incorporación de átomos de impurezas como iones de tierras raras, incrementaría sus propiedades de emisión y de conducción. El fenómeno de confinamiento cuántico que puede presentar el material al momento de introducir nano cristales de silicio en la matriz del oxicarburo de silicio provocaría un mayor incremento en estas dos propiedades. Esta tesis presenta la obtención de películas delgadas de oxicarburo de silicio SiCO dopados con Europio mediante la técnica de depósito HWCVD utilizando el TEOS y el SBA-15 como materiales precursores, donde el SBA-15 se impregnó con una solución de ion europio a las concentraciones de 0.05, 0.11, 0.22 y 0.33%. Los depósitos fueron llevados a cabo a las temperaturas de operación y a las temperaturas de 300°C y 500°C". |
|---|