Estudio del comportamiento de transitores de microondas a temperaturas ambiente y criogénica
En este trabajo de tesis se presentan las metodologías relacionadas con la caracterización a temperaturas ambiente y criogénica de la familia de transistores de efecto de campo, en especial el transistor pseudomórfico de alta movilidad electrónica (PHEMT) de arseniuro de galio (GaAs). Se efectúa la...
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1998 |
| País: | México |
| Institución: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/2338 |
| Acceso en línea: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2338 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Autor/Láser info:eu-repo/classification/cti/7 info:eu-repo/classification/cti/33 info:eu-repo/classification/cti/3325 |
| Sumario: | En este trabajo de tesis se presentan las metodologías relacionadas con la caracterización a temperaturas ambiente y criogénica de la familia de transistores de efecto de campo, en especial el transistor pseudomórfico de alta movilidad electrónica (PHEMT) de arseniuro de galio (GaAs). Se efectúa la caracterización de los parámetros de dispersión a diferentes temperaturas y puntos de polarización para determinar el comportamiento de la ganancia, la estabilidad y los parámetros de ruido delos dispositivos. Se describe la metodología utilizada para la medición de los parámetros de ruido del transistor, la cual consiste en un nuevo método desarrollado en los laboratorios del Instituto de Electrónica Fundamental (IEF) de la Universidad de Paris Sud, Francia. Presentándose además los bancos de medición utilizados en esta caracterización. Una manera alterna utilizada en la extracción de los parámetros de ruido del transistor se lleva a cabo mediante el modelado de ruido del dispositivo. Esta metodología consiste en la obtención de dichos parámetros a través de la matriz de correlación mediante el análisis del circuito eléctrico equivalente de pequeña señal del transistor. Por último, se proporcionan resultados que describen el comportamiento de los dispositivos, así como comentarios importantes sobre los parámetros del transistor PHEMT a diferentes temperaturas y puntos de polarización en función dela frecuencia. |
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