Comparación de modelos lineales en modo pulsado y no pulsado de transistores GaN de potencia
Los transistores de nitruro de galio (GaN) son fuertes candidatos para reemplazar a los tubos de vacío en aplicaciones de amplificación de mediana potencia es los sistemas de comunicación, gracias a su alto voltaje de ruptura y alta movilidad electrónica, Debido también a su alto rendimiento en pote...
| Autor: | |
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| Formato: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2014 |
| País: | México |
| Recursos: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/285 |
| Acesso em linha: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/285 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | info:eu-repo/classification/Autor/Transitores de efecto campo info:eu-repo/classification/cti/7 info:eu-repo/classification/cti/33 info:eu-repo/classification/cti/3325 |
| Resumo: | Los transistores de nitruro de galio (GaN) son fuertes candidatos para reemplazar a los tubos de vacío en aplicaciones de amplificación de mediana potencia es los sistemas de comunicación, gracias a su alto voltaje de ruptura y alta movilidad electrónica, Debido también a su alto rendimiento en potencia de salida y frecuencia de operación, son cada vez más usados en el diseño de amplificadores de potencia para aplicaciones en los sistemas de comunicación: transmisión de datos para dispositivos móviles y redes inalámbricas de área local. La alta eficiencia que se puede alcanzar al ser utilizado con topologías de amplificadores de última generación es también un factor importante que hace de este dispositivo un excelente candidato para las aplicaciones de alta potencia. El diseño asistido por computadora de amplificadores de radio-frecuencia requiere de un modelo que describa de la manera más exacta posible el comportamiento del dispositivo activo a utilizar. El modelo es obtenido a partir de mediciones adquiridas al aplicar físicamente una serie de condiciones de alimentación que provocan efectos sobre el dispositivo (Corrientes, voltajes y respuesta a una señal de RF), que son cuantificados y registrados para su posterior análisis y procesamiento. Las condiciones de alimentación que se aplican al dispositivo son sumamente importantes dado que depende de estas características el funcionamiento que se observará en el transistor. En este trabajo de tesis se realizó una investigación sobre la caracterización y modelado de transistores (GaN y SiC) con dos diferentes modos de medición: medición pulsada y no pulsada, con el objetivo de observar las diferencias que existen entre estos modos de caracterización y los efectos que pueden llegar a observarse al utilizar cada uno de los procesos de medición. Se obtuvieron modelos lineales de los transistores con diferentes condiciones de alimentación y se realizaron comparaciones entre ellos. Los modelos lineales se verificaron en cada uno de los casos al reproducir los datos experimentales obtenidos. |
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