Síntesis, modificación y caracterización de películas base bivo4 para la fotoelectrooxidación de agua
El BiVO4 es un semiconductor de tipo n, base en perovskita con una banda prohibida de casi 2.5 eV, capaz de absorber luz dentro del rango visible del espectro electromagnético. Entre los diversos métodos para su fabricación, el método de electrodeposición térmica es considerado como uno de los más e...
| Autor: | |
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| Formato: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión aceptada para publicación |
| Fecha de publicación: | 2023 |
| País: | México |
| Recursos: | Centro de Investigación y Desarrollo Tecnológico en Electroquímica |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CIDETEQ |
| OAI Identifier: | oai:cideteq.repositorioinstitucional.mx:1021/525 |
| Acesso em linha: | http://cideteq.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1021/525 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | info:eu-repo/classification/ELECTROQUÍMICA/ELECTROQUÍMICA info:eu-repo/classification/cti/7 |
| Resumo: | El BiVO4 es un semiconductor de tipo n, base en perovskita con una banda prohibida de casi 2.5 eV, capaz de absorber luz dentro del rango visible del espectro electromagnético. Entre los diversos métodos para su fabricación, el método de electrodeposición térmica es considerado como uno de los más eficientes. Este método se basa en la electrodeposición de Bi0 sobre electrodos FTO a partir de una solución de Bi(NO3)3, seguida de la adición de acetilacetonato de vanadilo, luego se calcina a 400 °C durante 2 h. En este trabajo, se prepararon electrodos utilizando el método de electrodeposición térmica y se estudió la estabilidad, la actividad fotocatalítica y el rendimiento de los electrodos mediante técnicas fotoelectroquímicas. Se evaluaron varias condiciones de electrodeposición, como potencial de electrodeposición (Ed), potencial de relajación (Er), tiempo de depósito (td), tiempo de relajación (tr) y número de ciclos de depósito (nc). Además, se realizaron dos modificaciones, la primera fue una electrorreducción de películas de BiVO4 que redujo los sobretiros (traducción directa de “overshot” del inglés), la segunda fue una deposición química de co-catalizadores (Fe y Ni) que mejoraron el comportamiento fotoelectroquímico. Las medidas fotoelectroquímicas se realizaron utilizando un K2SO4 0,3M como electrolito soporte, y un simulador solar LED (PICO, G2V Instruments) utilizando una potencia de irradiación (Io) de 87,4 mW/cm2 con una distribución espectral AM1,5G, 1,1 soles. El desarrollo de los electrodos permitió el análisis para la fotoelectrooxidación del agua mediante cronoamperometrías y voltametrías líneales, donde los electrodos desarrollaron una respuesta baja a comparación de lo reportado en la literatura, estos valores pueden estar sujetos a diferentes condiciones como el tipo de dopaje y/o depósito de los co-catalizadores, el electrolito, la potencia de irradiación de la lámpara y el arreglo experimental. PALABRAS CLAVE: Thin Films, Semiconductor Characterization, Photoelectrochemistry. |
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