Diseño Molecular Asistido por Computadora: Aplicación al Diseño de Cúmulos Mixtos de Silicio-Germanio
En este trabajo se presentan cálculos de estructura electrónica para obtener las estructurasde mínima energía potencial en cúmulos puros y mixtos de Silicio y Germanio, paratamaño de cúmulos entre 2 y 6 átomos. Además de analizar la estructura electrónica, estudiamosuna serie de propiedades físicas...
| Autores: | , |
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| Formato: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2007 |
| País: | México |
| Recursos: | Universidad de Colima |
| Repositorio: | Redalyc-UCOL |
| OAI Identifier: | oai:redalyc.org:41617101 |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=41617101 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | Multidisciplinarias (Ciencias Sociales) Cúmulo Silicio Germanio Semiconductor Química computacional |
| Resumo: | En este trabajo se presentan cálculos de estructura electrónica para obtener las estructurasde mínima energía potencial en cúmulos puros y mixtos de Silicio y Germanio, paratamaño de cúmulos entre 2 y 6 átomos. Además de analizar la estructura electrónica, estudiamosuna serie de propiedades físicas y químicas de estos sistemas, de interés para suposible aplicación en Electrónica, entre ellas el calor de formación, potencial de ionización,afi nidad electrónica, dureza absoluta, electronegatividad, hibridación, frecuencias vibracionales,estabilidad frente a la fragmentación y energía de disociación de enlace. También sepresenta una discusión sobre la evolución de las geometrías de los cúmulos mixtos segúnaumenta la composición de Germanio en cada cúmulo. Se puede predecir cuales de estoscúmulos, que aún no se detectan experimentalmente, serían los más estables, y aparentementeson aquéllos con 4, o 6 átomos y algunos de nuclearidad igual a 5, como son loscúmulos SiGe4, Si2Ge3, and Si3Ge2. |
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