Design and implementacion of class E amplifiers using non linear models for power transistors
En la búsqueda de alta eficiencia en los amplificadores de RF y microondas se ha encontrado que los amplificadores conmutados clase E son una opción muy prometedora ya que la eficiencia demostrada en bajas frecuencias alcanza niveles mayores al 95%, de aquí el interés para aplicarlo en altas frecuen...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2006 |
| País: | México |
| Institución: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/1578 |
| Acceso en línea: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/148 http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/1578 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Autor/Amplificador óptico info:eu-repo/classification/cti/7 info:eu-repo/classification/cti/33 info:eu-repo/classification/cti/3307 |
| Sumario: | En la búsqueda de alta eficiencia en los amplificadores de RF y microondas se ha encontrado que los amplificadores conmutados clase E son una opción muy prometedora ya que la eficiencia demostrada en bajas frecuencias alcanza niveles mayores al 95%, de aquí el interés para aplicarlo en altas frecuencias. Actualmente existen métodos de diseño que modelan el transistor del amplificador clase E como un interruptor ideal. Esto provoca que existan diferencias importantes entre la simulación y los resultados experimentales. El objetivo principal de esta tesis es presentar el diseño e instrumentación de amplificadores clase E en 800 MHz aplicando las teorías desarrolladas por J.R. Loo Yau en el grupo de microondas del CICESE y las técnicas de modelado no lineal de transistores para aminorar dichas discrepancias entre las simulaciones y los resultados medidos. En este trabajo de tesis se diseñaron, simularon e implementaron dos amplificadores clase E en 800 MHz. Uno de ellos nos permitió verificar la teoría de J.R. Loo Yau y en el otro se aplicaron las teorías de Mader con fines de comparación. Los resultados indican que utilizando la teoría de J.R. Loo (que considera los elementos parásitos del transistor en el diseño del amplificador) es posible obtener una mejor aproximación a la red de carga óptima para obtener alta eficiencia. Por otro lado, gracias a que se utiliza el modelado no lineal del transistor es posible predecir con mayor exactitud el comportamiento del amplificador. Además, es posible conocer desde el momento de la simulación los valores de la ganancia, la potencia de entrada requerida para conmutar el transistor y la eficiencia de potencia agregada (PAE), lo cual es imposible cuando se modela el transistor como un interruptor ideal. Entonces, una parte crucial en el desarrollo de amplificadores clase E es la caracterización y el modelado del transistor. En este trabajo se presenta un método para el diseño de las bases de prueba para transistores empaquetados de mediana potencia, resaltando la forma de realizar un diseño térmico adecuado. |
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