Estudio y modelado de la interfase Si-SiO2, usando estructuras MOS
A partir de la teoría de los procesos de generación y recombinación de Shockley-Read-Hall se presenta un modelo de la generación de portadores minoritarios en la interfase silicio-dióxido de silicio (Si-SiO2) de estructuras metalóxido- semiconductor (MOS). Se obtuvieron las curvas experimentales de...
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2009 |
| País: | México |
| Institución: | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla |
| Repositorio: | Redalyc-BUAP |
| OAI Identifier: | oai:redalyc.org:94213119003 |
| Acceso en línea: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94213119003 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Física, Astronomía y Matemáticas SiO2 Read Hall Shockley Interfase Si |
| Sumario: | A partir de la teoría de los procesos de generación y recombinación de Shockley-Read-Hall se presenta un modelo de la generación de portadores minoritarios en la interfase silicio-dióxido de silicio (Si-SiO2) de estructuras metalóxido- semiconductor (MOS). Se obtuvieron las curvas experimentales de generación de las estructuras MOS con óxidos depositados por el método de depósito químico en fase de vapor a presión atmosférica (APCVD). Se muestra que estas curvas pueden presentar un incremento no lineal en la razón de generación, donde este incremento depende de las condiciones iniciales de polarización y cuya naturaleza se debe a la componente de generación superficial. Partiendo del modelo propuesto y de las curvas experimentales de generación, se calcularon los parámetros que caracterizan las trampas en la interfase, como lo son, la densidad de trampas, el coeficiente de emisión y la energía de activación. |
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