Modelado y caracterización de un amplificador óptico de semiconductor.
La creciente demanda de servicios de comunicaciones más rápidos, confiables, de bajo costo y de mayor volumen, ha impulsado la investigación y el desarrollo de tecnologías que permitirán cubrir dichas necesidades. Es por eso que todo parece indicar que las comunicaciones del futuro estarán basadas e...
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1997 |
| País: | México |
| Institución: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/2934 |
| Acceso en línea: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2934 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Autor/Amplificadores de potencia clase A, Modelo no-lineal, Redes de adaptación info:eu-repo/classification/cti/7 info:eu-repo/classification/cti/33 info:eu-repo/classification/cti/3325 |
| Sumario: | La creciente demanda de servicios de comunicaciones más rápidos, confiables, de bajo costo y de mayor volumen, ha impulsado la investigación y el desarrollo de tecnologías que permitirán cubrir dichas necesidades. Es por eso que todo parece indicar que las comunicaciones del futuro estarán basadas en el manejo de información en el dominio óptico, dentro de los sistemas multicanalizados por división de longitud de onda (WDM, por sus siglas en inglés), en donde potencialmente se puede transmitir sin problemas lT b/s de tráfico de información por una sola fibra óptica. En una red de telecomunicaciones basada en un sistema WDM es de suma importancia contar con la tecnología que permita la transposición del formato de modulación en amplitud de una señal en una longitud de onda, a otra con una longitud de onda diferente. Lo anterior es con el fin de evitar al máximo la pérdida de información por bloqueos en nodos, al ser enrutadas a un mismo puerto de salida dos señales de la misma longitud de onda. Uno de los dispositivos que permite realizar el proceso de transposición de longitud de onda es el Amplificador Óptico de Semiconductor (AOS). En esta tesis se propusieron y estudiaron dos técnicas para realizar el proceso de transposición utilizando un Amplificador Óptico de Semiconductor. Con el fin de comprender la dinámica de dicho proceso, se desarrolló un modelo matemático que permite predecir la dinámica del amplificador en cualquier punto de su región activa. Este modelo contempla la supresión de ganancia producida por los distintos fenómenos no lineales que intervienen en el proceso de transposición, representados por un coeficiente de ganancia no lineal €. Se discute para las dos técnicas propuestas, la repercusión en la eficacia de transposición al variar el valor de la corriente de polarización del AOS, el nivel de potencia de las señales de entrada y el coeficiente de ganancia no lineal. El incluir dicho coeficiente, es una contribución original de este trabajo. Se describe y se realiza el proceso de fabricación de un AOS a partir de un Láser, Semiconductor Fabry-Perot (LS-FP), mediante la deposición de películas antirreflectoras en sus facetas. El experimento se llevó a cabo desarrollando una nueva técnica de monitoreo que consiste en observar el espectro de potencia del LS-FP durante la deposición de las películas, lo que permite determinar el momento en que la reflectividad de las facetas es mínima. El amplificador resultante fue caracterizado, sin embargo este no resultó idóneo para el proceso de transposición. |
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