Aplicación de la técnica fotoacústica a la medición de propiedades ópticas y de transporte en sistemas basados en capas delgadas semiconductoras
Se ha demostrado que la técnica fotoacústica (FA) permite la medición de propiedades ópticas y de transporte en semiconductores. En este trabajo describimos los principales mecanismos de generación de la señal fotoacústica, el sistema experimental que utilizaremos en nuestro trabajo futuro y los res...
| Autores: | , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2008 |
| País: | México |
| Institución: | Instituto Politécnico Nacional |
| Repositorio: | Repositorio Digital del IPN |
| OAI Identifier: | oai:www.repositoriodigital.ipn.mx:123456789/10888 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/123456789/397 http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10888 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | tecnica fotoacustica capas delgadas semionductoras |
| Sumario: | Se ha demostrado que la técnica fotoacústica (FA) permite la medición de propiedades ópticas y de transporte en semiconductores. En este trabajo describimos los principales mecanismos de generación de la señal fotoacústica, el sistema experimental que utilizaremos en nuestro trabajo futuro y los resultados de algunas mediciones preliminares realizadas con el objetivo de familiarizarnos con la técnica. |
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