Construcción y caracterización del dispositivo electroluminiscente de Y2SiO5:Ce,Tb
Recientemente la investigación de óxidos electroluminiscentes como alternativa para la producción de luz con buena brillantez y duración ha tomado un gran impulso hacia la sustitución de los semiconductores clásicamente usados. La emisión de luz blanca dentro de óxidos aislantes en dispositivos elec...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2006 |
| País: | México |
| Institución: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/1008 |
| Acceso en línea: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/1008 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Autor/Dispositivos electroluminiscentes,Diseño y construcción,Electroluminiscencia,Itrio info:eu-repo/classification/cti/1 info:eu-repo/classification/cti/22 info:eu-repo/classification/cti/2299 |
| Sumario: | Recientemente la investigación de óxidos electroluminiscentes como alternativa para la producción de luz con buena brillantez y duración ha tomado un gran impulso hacia la sustitución de los semiconductores clásicamente usados. La emisión de luz blanca dentro de óxidos aislantes en dispositivos electroluminiscentes ofrece un amplio rango de aplicaciones, desde lámparas de estado sólido hasta dispositivos opto-electrónicos en despliegue de información. En este trabajo se construye un dispositivo electroluminiscente en base a una película de silicato de itrio impurificada con Ce y Tb, cuya emisión es blanca. La fabricación del dispositivo electroluminiscente consiste en depositar la película de Y<sub>2</sub>SiO<sub>5</sub>:Ce,Tb por medio de ablación láser en la estructura compuesta por una capa de ZnO:Ga (electrodo transparente), la película de Y<sub>2</sub>SiO<sub>5</sub>:Ce<sub>0.0075</sub>,Tb<sub>0.04</sub> depositada sobre una cerámica de BaTiO<sub>3</sub> y finalmente plata como electrodo para construir el dispositivo. El espectro de electroluminiscencia del Y<sub>2</sub>SiO<sub>5</sub>:Ce muestra su emisión azul característica (banda ancha) centrada en λ<sub>em</sub>=440 nm debido a la transición electrónica de los niveles 5d → <sup>7</sup>F<sub>5/2</sub>, mientras que el Y<sub>2</sub>SiO<sub>5</sub>:Tb presenta una emisión verde bien definida y localizada en λ<sub>em</sub>=544 nm por la transición electrónica del <sup>5</sup>D<sub>4</sub> → <sup>5</sup>F<sub>5</sub>. Además, en el sistema combinado Y<sub>2</sub>SiO<sub>5</sub>:Ce,Tb se genera emisión blanca. La caracterización electro-óptica indica un voltaje umbral de V<sub>um</sub>~50 V para el Y2SiO5:Tb y de V<sub>um</sub>~100 V para el Y<sub>2</sub>SiO<sub>5</sub>:Ce. Dentro de este contexto el Y<sub>2</sub>SiO<sub>5</sub>:Ce,Tb empieza a emitir en verde cuando los iones de Tb se excitan a 150 V y la componente en azul de los iones de Ce inicia a partir de 400 V, dando como resultado la emisión de luz blanca en un marco de transferencia de energía del Ce al Tb. |
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