Estudio óptico de la cinética de obtención de óxidos de semiconductor y semimetal en lámina delgada por ablación e irradiación láser
El trabajo presenta un estudio de la cinética de obtención de óxidos de semiconductor y semimetal en lámina delgada. Se utilizan dos procedimientos experimentales, la deposición de láminas por ablación láser y la irradiación de materiales con láser, ambos en atmósfera reactiva de oxígeno. El trabajo...
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Fecha de publicación: | 2002 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad Complutense de Madrid (UCM) |
| Repositorio: | Docta Complutense |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:docta.ucm.es:20.500.14352/62822 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.14352/62822 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Física del estado sólido 2211 Física del Estado Sólido |
| Sumario: | El trabajo presenta un estudio de la cinética de obtención de óxidos de semiconductor y semimetal en lámina delgada. Se utilizan dos procedimientos experimentales, la deposición de láminas por ablación láser y la irradiación de materiales con láser, ambos en atmósfera reactiva de oxígeno. El trabajo establece una unión entre la cinética del proceso de obtención de los óxidos y sus propiedades ópticas y de estegniometría. Se han utilizado medidas ópticas en tiempo real para seguir "dinámicamente" el proceso de formación y crecimiento del óxido y medidas ópticas y de haces de iones (rbs,nra) para caracterizar sus propiedades. Los resultados muestran los mecanismos responsables de las propiedades observadas en los procesos de obtención y en los óxidos: presencia de especies energéticas, relación de flujos de átomos en el substrato, activación en fase liquida y cambio dinámico de propiedades ópticas. |
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