Monolithic packaging and transduction approaches for CMOS-MEMS resonators
El gran increment en el rendiment dels MEMS i la seva aplicació a multitud de camps ha motivat la seva recerca i desenvolupament. Des de la primera demostració d'un MEMS, moltes aplicacions han sorgit, essent el camp dels sensors el seu sector més competitiu. Aquesta dissertació tracta sobre di...
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Fecha de publicación: | 2013 |
| País: | España |
| Institución: | Universitat Autònoma de Barcelona |
| Repositorio: | Dipòsit Digital de Documents de la UAB |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:ddd.uab.cat:113104 |
| Acceso en línea: | https://ddd.uab.cat/record/113104 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Sistemes microelectromecànics Metall òxid semiconductors complementaris Detectors |
| Sumario: | El gran increment en el rendiment dels MEMS i la seva aplicació a multitud de camps ha motivat la seva recerca i desenvolupament. Des de la primera demostració d'un MEMS, moltes aplicacions han sorgit, essent el camp dels sensors el seu sector més competitiu. Aquesta dissertació tracta sobre dispositius MEMS amb aplicacions en el domini de la radiofreqüència, com per exemple ressonadors i oscil·ladors amb l'objectiu d'utilitzar-los com a referències de freqüència. El mètode implementat en el disseny i fabricació de tots els dispositius presentats en aquesta tesis es basa en una tecnologia comercial CMOS de 0.35µm. La utilització d'una tecnologia CMOS estàndard proporciona la capacitat d'integrar monolíticament els dispositius MEMS amb circuits CMOS incrementant-ne el rendiment i la fiabilitat. Relacionat amb l'àrea de fabricació, s'ha dissenyat, fabricat i caracteritzat un encapsulat per ressonadors CMOS-MEMS. S'han utilitzat varies aproximacions per aconseguir el segellat de la cavitat. També s'han encapsulat diferents tipus de ressonadors MEMS. S'ha demostrat que l'encapsulat proporciona protecció addicional als dispositius MEMS mantenint-ne la seva fiabilitat. Aquesta tesis també s'ha centrat en dos mètodes de transducció: capacitiu i piezoresistiu. S'han fabricat i mesurat diferents dispositius CMOS-MEMS amb sensat capacitiu amb freqüències dins de les bandes d'HF i VHF. S'han testejat oscil·ladors basats en diferents estructures mecàniques demostrant unes bones prestacions amb petites senyals de polarització. Des del punt de vista de transducció piezoresistiva s'han fabricat i testejat també diferents estructures mecàniques ressonants, essent la mesura obtinguda amb el pont de polisilici la demostració de l'aplicació del esquema de transducció piezoresistiu a ressonadors CMOS-MEMS. |
|---|