Achieving junction stability in heavily doped epitaxial Si:P
Producción Científica
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión aceptada para publicación |
| Fecha de publicación: | 2021 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad de Valladolid |
| Repositorio: | UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid |
| OAI Identifier: | oai:uvadoc.uva.es:10324/45124 |
| Acceso en línea: | https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.105672 http://uvadoc.uva.es/handle/10324/45124 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Microondas Doping Dopaje |
| Sumario: | Producción Científica |
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