A fully integrated 6–18 GHz transmit/receive MMIC frontend implemented in 150-nm GaN-on-SiC technology

Detalles Bibliográficos
Autores:	Ferreras Mayo, Marta\|\|\|0000-0001-5231-7251, Prieto, Álvaro\|\|\|0009-0005-3661-472X, Álvarez, Iago\|\|\|0009-0003-2293-4541, Ferreras, Alfonso\|\|\|0009-0002-6115-6239, Montero de Paz, Javier\|\|\|0000-0001-9854-3772, Sánchez Martínez, Juan José\|\|\|0000-0002-3653-822X, Grajal de la Fuente, Jesús\|\|\|0000-0001-8081-2815
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2025
País:	España
Institución:	Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:	Archivo Digital UPM
OAI Identifier:	oai:oa.upm.es:92418
Acceso en línea:	https://oa.upm.es/92418/
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Switches HEMTs insertion loss MODFETs gain power generation power amplifiers noise microwave transistors radio frequency

Descripción
Descripción no disponible.