Propiedades dieléctricas de laminas delgadas de (Pb,Ca)TiO3 con alto contenido de Ca
[ES] Se han preparado láminas delgadas de titanato de plomo modificado con calcio, Pb1-xCaxTiO3, (PTCa) con x>35%, depositadas sobre substratos de Pt/TiO2/SiO2/(100)Si y Pt/(100)MgO, empleando la técnica de sol-gel y un horno rápido de procesado (RTP). Se intenta obtener propiedades cercanas al m...
| Autores: | , , , , , |
|---|---|
| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2004 |
| País: | España |
| Institución: | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) |
| Repositorio: | DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC |
| OAI Identifier: | oai:digital.csic.es:10261/4530 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10261/4530 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Ferroelectric films DRAM Varactors |
| Sumario: | [ES] Se han preparado láminas delgadas de titanato de plomo modificado con calcio, Pb1-xCaxTiO3, (PTCa) con x>35%, depositadas sobre substratos de Pt/TiO2/SiO2/(100)Si y Pt/(100)MgO, empleando la técnica de sol-gel y un horno rápido de procesado (RTP). Se intenta obtener propiedades cercanas al material cerámico masivo, como son la bajada de la temperatura de la transición ferro-paraeléctrica y el aumento de la permitividad, ε´ a temperatura ambiente. Así, se consiguen láminas de contenido de Ca próximas al 40% y 50% con valores altos de permitividad, poco dependientes de la temperatura, que presentan un alto carácter difuso en la transición para temperaturas próxima a ambiente y un comportamiento de la capacidad con el voltaje, C-V,que las hacen de interés en la fabricación de DRAM y dispositivos para alta frecuencia. |
|---|