Diseño de topologías rectificadoras e inversoras clase E basadas en tecnologías GaN HEMT y E-pHEMT para aplicaciones de transmisión inalámbrica y reciclado de energía
RESUMEN: En el campo de RF/Microondas, se vienen desarrollando sistemas de transmisión inalámbrica eficientes, que permitan reducir el elevado consumo eléctrico de las estaciones base de telefonía móvil, aumentar la duración de las baterías en los terminales, así como alimentar dispositivos de forma...
| Author: | |
|---|---|
| Format: | doctoral thesis |
| Publication Date: | 2017 |
| Country: | España |
| Institution: | Universidad de Cantabria (UC) |
| Repository: | UCrea Repositorio Abierto de la Universidad de Cantabria |
| Language: | Spanish |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.unican.es:10902/11939 |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10902/11939 |
| Access Level: | Open access |
| Keyword: | Alta-eficiencia Amplificador de potencia Auto-alimentación Auto-síncrono Clase-E EER E-pHEMT ET GaN HEMT Inversor Microondas Transmisor outphasing Radiofrecuencia Rectenna Convertidor DC/DC Resonante Rectificador síncrono UHF Comunicaciones inalámbricas Alimentación inalámbrica Reciclado de energía WPT Class-E Energy harvesting High-efficiency Inverter Microwaves Outphasing transmitter Power amplifier Radiofrequency Resonant DC/DC converter Self-biasing Self-synchronous Synchronous rectifiers Wireless communications Wireless powering |
| Summary: | RESUMEN: En el campo de RF/Microondas, se vienen desarrollando sistemas de transmisión inalámbrica eficientes, que permitan reducir el elevado consumo eléctrico de las estaciones base de telefonía móvil, aumentar la duración de las baterías en los terminales, así como alimentar dispositivos de forma inalámbrica. En este sentido, en esta tesis se han propuesto distintas topologías inversoras y rectificadoras de alta eficiencia, operando en clase E, para su uso en la transmisión eficiente de señales de comunicaciones y alimentación inalámbrica. Por un lado, se han diseñado amplificadores de potencia de alta eficiencia con tecnología GaN HEMT, empleados posteriormente en la implementación de distintos transmisores outphasing. Asimismo, se han diseñado convertidores DC/DC Clase E2, compuestos por un inversor y un rectificador síncrono a GaN HEMT, para su uso como moduladores de envolvente en arquitecturas ET/EER. Por otro lado, se han diseñado rectificadores síncronos con dispositivos E-pHEMT, con eficiencias en el estado de la técnica, enfocados hacia aplicaciones de transferencia de potencia en campo lejano y de reciclado de energía. |
|---|