Estudio del comportamiento no lineal de dispositivos activos de microondas
Dentro de los sistemas de comunicación han adquirido gran importancia las aplicaciones en alta frecuencia, lo que conlleva un gran desarrollo en este tipo de tecnologías; aplicaciones bajo ruido, potencia monolítico, etc. Este tipo de tecnologías precisan un conocimiento no lineal de los circuitos....
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Fecha de publicación: | 2011 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad de Cantabria (UC) |
| Repositorio: | UCrea Repositorio Abierto de la Universidad de Cantabria |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.unican.es:10902/1391 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10902/1391 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Modelado no lineal Balance armónico Amplificadores a FET Osciladores Loard pull Non-linear modelling Harmonic balance FET amplifier Oscillators |
| Sumario: | Dentro de los sistemas de comunicación han adquirido gran importancia las aplicaciones en alta frecuencia, lo que conlleva un gran desarrollo en este tipo de tecnologías; aplicaciones bajo ruido, potencia monolítico, etc. Este tipo de tecnologías precisan un conocimiento no lineal de los circuitos. Por ello el presente trabajo se ha orientado hacia la resolución de tres problemas no lineales fundamentales que son: modelización física, análisis no lineal de sistemas activos autónomos trabajando en microondas y el desarrollo de una formulación matemática compacta dirigida hacia la optimización gran señal de sistemas activos a transistor Mesfet. El trabajo se completa con una verificación experimental de los comportamientos simulados teóricamente lo que confiere a los métodos matemáticos un amplio rango de validez. |
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