Degradation of subcells and tunnel junctions during growth of GaInP/Ga(In)As/GaNAsSb/Ge 4-junction solar cells

Detalles Bibliográficos
Autores: García Vara, Iván|||0000-0002-9895-2020, Ochoa Gómez, Mario|||0000-0002-7108-3638, Lombardero, Iván, Cifuentes, Luis, Hinojosa, Manuel, Caño, Pablo, Rey-Stolle Prado, Ignacio|||0000-0002-4919-5609, Algora del Valle, Carlos|||0000-0003-1872-7243, Johnson, A.D., Davies, J.I., Tan, K.H., Loke, W.K., Wicaksono, S., Yoon, F.
Tipo de recurso: artículo
Fecha de publicación:2017
País:España
Institución:Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:Archivo Digital UPM
OAI Identifier:oai:oa.upm.es:47859
Acceso en línea:https://oa.upm.es/47859/
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:degradation
dilute nitride
4-junction solar cell
MOVPE
thermal load
Descripción
Descripción no disponible.

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