Theoretical studies of defects in silicon carbide
Cálculos de estructura electrónica han sido utilizados para el estudio de la estructura, de la difusividad y de la actividad eléctrica de defectos puntuales en carburo de silicio. En particular, se han considerado impurezas de tipo n y de tipo p, boro, nitrógeno y fósforo, juntas con defectos intrín...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2003 |
| País: | España |
| Institución: | CBUC, CESCA |
| Repositorio: | TDR. Tesis Doctorales en Red |
| OAI Identifier: | oai:www.tdx.cat:10803/3355 |
| Acceso en línea: | http://www.tdx.cat/TDX-0621104-193123 http://hdl.handle.net/10803/3355 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Models Semiconductors Defects Ciències Experimentals 538.9 |
| Sumario: | Cálculos de estructura electrónica han sido utilizados para el estudio de la estructura, de la difusividad y de la actividad eléctrica de defectos puntuales en carburo de silicio. En particular, se han considerado impurezas de tipo n y de tipo p, boro, nitrógeno y fósforo, juntas con defectos intrínsecos, como las vacantes del cristal.<br/>El proceso de transient enhanced diffusion del boro ha sido estudiado y se ha propuesto una descripción microscópica del mismo: el kick-out realizado por un auto-intersticial de silicio cercano ha resultado ser el responsable de la metaestabilidad del de otra forma altamente estable boro sustitucional.<br/>El mecanismo de difusión de la vacante de carbono y de silicio ha sido discutido y caracterizado; se ha demostrado que la vacante de carbono migra solamente a través de un mecanismo de difusión a los segundos vecinos, mientras que la vacante de silicio es metaestable con respecto a la formación del par vacante-antisito y entonces el camino de difusión será mediado por la formación de dicha configuración.<br/>El dopaje de tipo n en las condiciones de alta dosis obtenidas con nitrógeno y/o fósforo ha sido estudiado; se ha mostrado que la formación de complejos de nitrógenos eléctricamente inactivos hace que el fósforo sea la elección mas adecuada para obtener dopaje de tipo n bajo estas condiciones. |
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