Gaussian Approximation Potential for C-doped Boron Nitride

This is an GAP potential for amorphous boron nitride samples. It is trained based on datasets generated with ab-initio molecular dynamics and DFT. It can be used with pair_style quip command.

Detalles Bibliográficos
Autores: Kaya, Onurcan, Colombo, Luigi, Antidormi, Aleandro, Lanza, Mario, Roche, Stephan
Tipo de recurso: conjunto de datos
Fecha de publicación:2023
País:España
Institución:Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositorio:DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:oai:digital.csic.es:10261/309106
Acceso en línea:http://hdl.handle.net/10261/309106
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:aBNC
GAP
Gaussian Aproximation Potential
Molecular Dynamics
Descripción
Sumario:This is an GAP potential for amorphous boron nitride samples. It is trained based on datasets generated with ab-initio molecular dynamics and DFT. It can be used with pair_style quip command.