Caracterización estructural por microscopia electrónica de transmisión de capas de arseniuro de galio epitaxiadas sobre sustratos de silicio

El objetivo de este trabajo consiste en la caracterización estructural de las capas de arseniuro de galio (GaAs) epitaxiadas sobre sustratos de silicio (Si) de cara a una mayor comprensión de los procesos de nucleación y relajación desde los primeros estadios del crecimiento, que permita aportar una...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Vilà i Arbonès, Anna Maria
Tipo de recurso: tesis doctoral
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:1995
País:España
Institución:CBUC, CESCA
Repositorio:TDR. Tesis Doctorales en Red
OAI Identifier:oai:www.tdx.cat:10803/674894
Acceso en línea:http://hdl.handle.net/10803/674894
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Microscòpia electrònica
Microscopia electrónica
Electron microscopy
Pel·lícules fines
Películas delgadas
Thin films
Ciències Experimentals i Matemàtiques
53
id ES_9dfe28fa0329adbb36383ab6ea039aa6
oai_identifier_str oai:www.tdx.cat:10803/674894
network_acronym_str ES
network_name_str España
repository_id_str
spelling Caracterización estructural por microscopia electrónica de transmisión de capas de arseniuro de galio epitaxiadas sobre sustratos de silicioVilà i Arbonès, Anna MariaMicroscòpia electrònicaMicroscopia electrónicaElectron microscopyPel·lícules finesPelículas delgadasThin filmsCiències Experimentals i Matemàtiques53El objetivo de este trabajo consiste en la caracterización estructural de las capas de arseniuro de galio (GaAs) epitaxiadas sobre sustratos de silicio (Si) de cara a una mayor comprensión de los procesos de nucleación y relajación desde los primeros estadios del crecimiento, que permita aportar una contribución a la optimización del proceso de la heteroepitaxia. En el Capítulo I se presenta el sistema GaAs/Si: sus características, potencialidades y logros, así como sus problemas. A continuación, se describe la técnica utilizada para llevar a cabo este estudio, la microscopia electrónica de transmisión en sus dos vertientes de microscopia convencional y de alta resolución, y otras técnicas afines necesarias para la correcta interpretación de las imágenes, a saber, la simulación de los contrastes y la elasticidad aplicada a la obtención de modelos atómicos para los defectos. El Capítulo III se consagra a la caracterización de capas epitaxiadas en una variedad de condiciones, de cara a optimizar los parámetros y concretar los mecanismos que influyen sobre la calidad de las capas. En el Capítulo IV se caracterizan a nivel atómico las primeras etapas del crecimiento del GaAs sobre Si, centrándose en el modo de crecimiento y analizando la influencia de la baja temperatura del sustrato o el estado de su superficie previo al depósito. A partir de estas observaciones, se procede, en el Capítulo V, a la descripción más detallada de los mecanismos que toman parte en el proceso de relajación de las tensiones desde las primeras etapas del crecimiento. Concretamente, se estudia la minimización de la energía por una morfología adecuada, la transición deformación elástica-relajación plástica y la cronología de aparición de los diferentes tipos de defectos; dando origen a las estructuras observadas en las capas finales (Capítulo VI).Universitat de BarcelonaCornet i Calveras, AlbertUniversitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Electrònica202220221995info:eu-repo/semantics/doctoralThesisinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion223 p.application/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/10803/674894TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)reponame:TDR. Tesis Doctorales en Redinstname:CBUC, CESCAEspañolADVERTIMENT. Tots els drets reservats. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.info:eu-repo/semantics/openAccessoai:www.tdx.cat:10803/6748942026-06-14T12:46:07Z
dc.title.none.fl_str_mv Caracterización estructural por microscopia electrónica de transmisión de capas de arseniuro de galio epitaxiadas sobre sustratos de silicio
title Caracterización estructural por microscopia electrónica de transmisión de capas de arseniuro de galio epitaxiadas sobre sustratos de silicio
spellingShingle Caracterización estructural por microscopia electrónica de transmisión de capas de arseniuro de galio epitaxiadas sobre sustratos de silicio
Vilà i Arbonès, Anna Maria
Microscòpia electrònica
Microscopia electrónica
Electron microscopy
Pel·lícules fines
Películas delgadas
Thin films
Ciències Experimentals i Matemàtiques
53
title_short Caracterización estructural por microscopia electrónica de transmisión de capas de arseniuro de galio epitaxiadas sobre sustratos de silicio
title_full Caracterización estructural por microscopia electrónica de transmisión de capas de arseniuro de galio epitaxiadas sobre sustratos de silicio
title_fullStr Caracterización estructural por microscopia electrónica de transmisión de capas de arseniuro de galio epitaxiadas sobre sustratos de silicio
title_full_unstemmed Caracterización estructural por microscopia electrónica de transmisión de capas de arseniuro de galio epitaxiadas sobre sustratos de silicio
title_sort Caracterización estructural por microscopia electrónica de transmisión de capas de arseniuro de galio epitaxiadas sobre sustratos de silicio
dc.creator.none.fl_str_mv Vilà i Arbonès, Anna Maria
author Vilà i Arbonès, Anna Maria
author_facet Vilà i Arbonès, Anna Maria
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Cornet i Calveras, Albert
Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Electrònica
dc.subject.none.fl_str_mv Microscòpia electrònica
Microscopia electrónica
Electron microscopy
Pel·lícules fines
Películas delgadas
Thin films
Ciències Experimentals i Matemàtiques
53
topic Microscòpia electrònica
Microscopia electrónica
Electron microscopy
Pel·lícules fines
Películas delgadas
Thin films
Ciències Experimentals i Matemàtiques
53
description El objetivo de este trabajo consiste en la caracterización estructural de las capas de arseniuro de galio (GaAs) epitaxiadas sobre sustratos de silicio (Si) de cara a una mayor comprensión de los procesos de nucleación y relajación desde los primeros estadios del crecimiento, que permita aportar una contribución a la optimización del proceso de la heteroepitaxia. En el Capítulo I se presenta el sistema GaAs/Si: sus características, potencialidades y logros, así como sus problemas. A continuación, se describe la técnica utilizada para llevar a cabo este estudio, la microscopia electrónica de transmisión en sus dos vertientes de microscopia convencional y de alta resolución, y otras técnicas afines necesarias para la correcta interpretación de las imágenes, a saber, la simulación de los contrastes y la elasticidad aplicada a la obtención de modelos atómicos para los defectos. El Capítulo III se consagra a la caracterización de capas epitaxiadas en una variedad de condiciones, de cara a optimizar los parámetros y concretar los mecanismos que influyen sobre la calidad de las capas. En el Capítulo IV se caracterizan a nivel atómico las primeras etapas del crecimiento del GaAs sobre Si, centrándose en el modo de crecimiento y analizando la influencia de la baja temperatura del sustrato o el estado de su superficie previo al depósito. A partir de estas observaciones, se procede, en el Capítulo V, a la descripción más detallada de los mecanismos que toman parte en el proceso de relajación de las tensiones desde las primeras etapas del crecimiento. Concretamente, se estudia la minimización de la energía por una morfología adecuada, la transición deformación elástica-relajación plástica y la cronología de aparición de los diferentes tipos de defectos; dando origen a las estructuras observadas en las capas finales (Capítulo VI).
publishDate 1995
dc.date.none.fl_str_mv 1995
2022
2022
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://hdl.handle.net/10803/674894
url http://hdl.handle.net/10803/674894
dc.language.none.fl_str_mv Español
language_invalid_str_mv Español
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv 223 p.
application/pdf
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universitat de Barcelona
publisher.none.fl_str_mv Universitat de Barcelona
dc.source.none.fl_str_mv TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
reponame:TDR. Tesis Doctorales en Red
instname:CBUC, CESCA
instname_str CBUC, CESCA
reponame_str TDR. Tesis Doctorales en Red
collection TDR. Tesis Doctorales en Red
repository.name.fl_str_mv
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1869414789148573696
score 15,301603

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