Rare earth- and Si nanostructure-based light emitting devices for integrated photonics

[spa] Esta tesis presenta un trabajo experimental en el desarrollo de iones de tierras raras y nanoestructuras de Si como plataforma de materiales para dispositivos de emisión de luz (LEDs) en el rango visible e infrarrojo cercano. Se han fabricado diferentes dispositivos electroluminiscentes basado...

Full description

Bibliographic Details
Author: Berencén Ramírez, Yonder Antonio
Format: doctoral thesis
Status:Published version
Publication Date:2014
Country:España
Institution:Universidad de Barcelona
Repository:Dipòsit Digital de la UB
OAI Identifier:oai:diposit.ub.edu:2445/62291
Online Access:https://hdl.handle.net/2445/62291
http://hdl.handle.net/10803/285453
Access Level:Open access
Keyword:Electrònica
Fotònica
Luminescència
Nanoestructures
Silici
Díodes electroluminescents
Díodes semiconductors
Electronics
Photonics
Luminescence
Nanostructures
Silicon
Light emitting diodes
Semiconductor diodes
Description
Summary:[spa] Esta tesis presenta un trabajo experimental en el desarrollo de iones de tierras raras y nanoestructuras de Si como plataforma de materiales para dispositivos de emisión de luz (LEDs) en el rango visible e infrarrojo cercano. Se han fabricado diferentes dispositivos electroluminiscentes basados en capas simples, dobles o triples de óxido de silicio y/o nitruro de silicio dopados o no con tierras raras. Para ello se han empleado varias técnicas de fabricación compatibles con la tecnología CMOS; a saber, depósito de vapor químico asistido por plasma (PECVD), pulverización catódica mediante magnetrón, depósito de vapor químico a baja presión (LPCVD) e implantación de iones. Así mismo, las propiedades estructurales y de composición de las capas fabricadas han sido determinadas mediante el uso de técnicas de caracterización tales como TOF-SIMS, SIMS, XPS, EFTEM, FIB y elipsometría. Además, a temperatura ambiente y altas temperaturas (25 0C – 300 0C) se han estudiado las propiedades electro-ópticas en los regímenes cuasi-estático y dinámico. Por lo general, las técnicas electro-ópticas empleadas fueron corriente-voltaje, capacitancia-voltaje, estudio de carga hasta la ruptura, electroluminiscencia (EL)-corriente, EL-voltaje y EL resuelta en tiempo.

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