Protección contra la oxidación de materiales compuestos SiC(C/SiC) mediante la combinación de recubrimientos de silicatos de itrio y sílice
[ES] El principal inconveniente para la utilización de los materiales compuestos C/SiC en aplicaciones estructurales de alta temperatura es la elevada velocidad de oxidación de la fibra de carbono por encima de 450°C (1). Por esta razón, es necesario el desarrollo de recubrimientos capaces de proteg...
| Autores: | , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2001 |
| País: | España |
| Institución: | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) |
| Repositorio: | DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC |
| OAI Identifier: | oai:digital.csic.es:10261/4719 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10261/4719 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | SiC(C/SiC) Silicatos de itrio SiO2 Recubrimientos Resistencia a la oxidación Yttrium silicates Coatings Oxidation resistance |
| Sumario: | [ES] El principal inconveniente para la utilización de los materiales compuestos C/SiC en aplicaciones estructurales de alta temperatura es la elevada velocidad de oxidación de la fibra de carbono por encima de 450°C (1). Por esta razón, es necesario el desarrollo de recubrimientos capaces de proteger de la oxidación a estos materiales durante periodos prolongados a temperaturas de hasta 1600°C. Habitualmente, los recubrimientos están formados por multicapas con características antioxidantes complementarias. El objetivo de este trabajo ha sido el desarrollo de un recubrimiento multicapa formado por una capa interior de SiC, una intermedia de silicatos de itrio: Y2Si2O7 y Y2SiO5, y una exterior de SiO2. En su procesamiento se han empleado diferentes técnicas: pulverizado con soluciones de policarbosilanos, inmersión en suspensiones coloidales y técnica solgel, respectivamente. Se ha analizado la influencia sobre la resistencia a la oxidación del material, y se ha realizado un estudio microestructural por MEB previo y posterior al ensayo de oxidación. Las presencia de fisuras en la capa interior de SiC origina una resistencia a la oxidación muy reducida a baja temperatura. Solamente cuando el substrato está protegido por la triple capa la reducción de la velocidad de oxidación es considerable y la pérdida de peso se reduce del 50%, cuando el substrato está protegido por la capa de SiC, al 15% con la triple capa. |
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