A2+V2O4 spinels provide a unique opportunity for studying the evolution of the charge gap of Mott insulators that approach the itinerant electron limit under the application of external pressure. Here we report high-pressure resistivity and optical measurements in ZnV2O4 that provide unambiguous evi...
Detalles Bibliográficos
| Autores: |
Kuntscher, Christine,
Rabia, Kaneez,
Forthaus, M.K.,
Abd-Elmeguid, M. M.,
Rivadulla Fernández, José Francisco,
Kato, Y.,
Batista, Cristian D. |
| Tipo de recurso: | artículo
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| Fecha de publicación: | 2012 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad de Santiago de Compostela (USC) |
| Repositorio: | Minerva. Repositorio Institucional de la Universidad de Santiago de Compostela |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:minerva.usc.gal:10347/17033 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10347/17033
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| Access Level: | acceso abierto |