Temperature dependent current-voltage characteristics of Au/n-Si Schottky barrier diodes and the effect of transition metal oxides as an interface layer
© <2017>. This manuscript version is made available under the CC-BY-NC-ND 4.0 license http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
| Autores: | , |
|---|---|
| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2018 |
| País: | España |
| Institución: | Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) |
| Repositorio: | UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:upcommons.upc.edu:2117/114153 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/2117/114153 https://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2017.10.068 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Condensed matter Solid state physics Schottky junctions TMO interface layer I-V-T measurements Matèria condensada Física de l'estat sòlid Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Díodes Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid |
| Sumario: | © <2017>. This manuscript version is made available under the CC-BY-NC-ND 4.0 license http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ |
|---|