Optical Control of Synaptic Plasticity in Perovskite Memristors
Los diodos emisores de luz basados en perovskita (PeLEDs) han despertado un interés creciente debido a su alta eficiencia cuántica, bajo coste de fabricación y propiedades optoelectrónicas ajustables. En particular, los nanocristales de bromuro de plomo y cesio ($CsPbBr_3$) ofrecen una excelente est...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Fecha de publicación: | 2025 |
| País: | España |
| Institución: | Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) |
| Repositorio: | UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:upcommons.upc.edu:2117/452360 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/2117/452360 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Electric resistors Memristors Perovskite Memristor Perovskites Neuromorphic Computing Synapse Perovskitas Computación neuromórfica Sinapsis Resistències elèctriques Perovskita Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica |
| Sumario: | Los diodos emisores de luz basados en perovskita (PeLEDs) han despertado un interés creciente debido a su alta eficiencia cuántica, bajo coste de fabricación y propiedades optoelectrónicas ajustables. En particular, los nanocristales de bromuro de plomo y cesio ($CsPbBr_3$) ofrecen una excelente estabilidad térmica y características ópticas destacadas, lo que los convierte en candidatos prometedores para aplicaciones optoelectrónicas de nueva generación. Más allá de la emisión de luz, estudios recientes indican que las perovskitas pueden exhibir un comportamiento memristivo, reteniendo memoria de estímulos eléctricos pasados, lo que resalta su potencial en la computación neuromórfica. Esta tesis investiga las propiedades memristivas de fotodiodos de CsPbBr_3 impresos mediante inyección de tinta, caracterizando sus respuestas eléctricas y ópticas ante estímulos externos. El objetivo es comprender mejor sus capacidades multifuncionales y explorar su integración en futuros dispositivos optoelectrónicos y de memoria. |
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