Compact Modeling of Schottky Barrier and Reconfigurable Field-Effect Transistors
Els transistors d'efecte de camp de barrera Schottky (SBFET) i altres dispositius basats en la formació de barrera Schottky són una tecnologia estable però també de nínxol en aplicacions electròniques. Tot i això, els SBFET i altres dispositius basats en aquesta tecnologia segueixen sent promet...
| Author: | |
|---|---|
| Format: | doctoral thesis |
| Status: | Published version |
| Publication Date: | 2024 |
| Country: | España |
| Institution: | CBUC, CESCA |
| Repository: | TDR. Tesis Doctorales en Red |
| OAI Identifier: | oai:www.tdx.cat:10803/691174 |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10803/691174 |
| Access Level: | Open access |
| Keyword: | FET de barrera Schottky modelo compacte FET reconfigurable modelo compacto Schottky barrier FET compact modeling reconfigurable FET Ciències 62 621.3 |
| Summary: | Els transistors d'efecte de camp de barrera Schottky (SBFET) i altres dispositius basats en la formació de barrera Schottky són una tecnologia estable però també de nínxol en aplicacions electròniques. Tot i això, els SBFET i altres dispositius basats en aquesta tecnologia segueixen sent prometedors per a un ampli espectre d'aplicacions futures. Si bé en investigacions recents s'ha demostrat que els SBFET són un bon candidat per a aplicacions de temperatura criogènica profunda, actualment s'estan investigant nous tipus de dispositius com ara el transistor d'efecte de camp reconfigurable (RFET), que utilitza i millora diverses característiques dels SBFET. En aquest treball es desenvolupa un model compacte analític, i de base física, que es fa servir per calcular el corrent DC dels SBFET. El model compacte es presenta amb diferents variacions i es pot utilitzar per a aplicacions a temperatura ambient i temperatura criogènica profunda. El model es pot aplicar a SBFET convencionals així com a RFET programats. A més, el model compacte de DC inclou diversos efectes de segon ordre, com la resistència del canal als RFET i l'efecte de la cua de banda a temperatures criogèniques profundes. La verificació del model es fa a partir de mesures dels dispositius i de simulacions numèriques TCAD, realitzades amb TCAD Sentaurus. |
|---|