Weak-antilocalization signatures in the magnetotransport properties of individual electrodeposited Bi Nanowires

We study the electrical resistivity of individual Bi nanowires of diameter 100 nm fabricated by electrodeposition using a four-probe method in the temperature range 5–300 K with magnetic fields up to 90 kOe. Low-resistance Ohmic contacts to individual Bi nanowires are achieved using a focused ion be...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores: Marcano, N., Sangiao, S., Plaza, M., Pérez, L., Pacheco, A. F., Córdoba, R., Sánchez, M. C., Morellón, L., Ibarra, M. R., De Teresa, J. M.
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión aceptada para publicación
Fecha de publicación:2010
País:España
Institución:Universidad de Zaragoza
Repositorio:Zaguán. Repositorio Digital de la Universidad de Zaragoza
OAI Identifier:oai:zaguan.unizar.es:145254
Acceso en línea:http://zaguan.unizar.es/record/145254
Access Level:acceso abierto
Descripción
Sumario:We study the electrical resistivity of individual Bi nanowires of diameter 100 nm fabricated by electrodeposition using a four-probe method in the temperature range 5–300 K with magnetic fields up to 90 kOe. Low-resistance Ohmic contacts to individual Bi nanowires are achieved using a focused ion beam to deposit W-based nanocontacts. Magnetoresistance measurements show evidence for weak antilocalization at temperatures below 10 K, with a phase-breaking length of 100 nm.