Transition metal dichalcogenide twisted bilayers for efficient heat management applications
Els circuits electrònics s'implementen en gairebé tots els dispositius que ens envolten. Aquests dispositius incorporen ara un nombre encara més gran de components a causa de la creixent complexitat de les funcions que realitzen, les quals requereixen més operacions lògiques que en el passat. N...
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Fecha de publicación: | 2025 |
| País: | España |
| Institución: | Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) |
| Repositorio: | UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:dnet:upcommonspor::bb7c0409f850500bea2ced534e69a4da |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/2117/462319 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Two-dimensional materials Electronic circuits 2D materials Transition metal dichalcogenides Chemical Vapour Depositiion Twisted bilayers Heat management Materials bidimensionals Conductivitat tèrmica Circuits electrònics Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria dels materials |
| Sumario: | Els circuits electrònics s'implementen en gairebé tots els dispositius que ens envolten. Aquests dispositius incorporen ara un nombre encara més gran de components a causa de la creixent complexitat de les funcions que realitzen, les quals requereixen més operacions lògiques que en el passat. No obstant, les operacions lògiques generen calor, el que avui representa més del 50% de les fallades en dispositius electrònics degut al sobreescalfament. Per aquest motiu, és crucial desenvolupar sistemes eficients de dissipació de la calor que evitin el sobreescalfament i, en conseqüència, la fallada del dispositiu. Per fer front a aquest repte, el desenvolupament de conductors tèrmics anisotròpics utilitzant materials 2D orientats de manera que maximitzin l'anisotropia tèrmica ha generat un interès significatiu, ja que aquests materials podrien permetre dirigir la calor en una direcció desitjada. Les simulacions teòriques preveuen un futur prometedor per a aquestes estructures; no obstant això, encara s'han de fabricar de manera fiable amb alta qualitat i reproductibilitat, i les seves propietats esperades s'han de confirmar experimentalment. En aquest context, aquest treball es va centrar en l'optimització de la fabricació de monocapes d'alta qualitat de disulfur de molibdè (MoS2) i disulfur de tungstè (WS2) mitjançant deposició química de vapor (CVD). Aquestes monocapes es van utilitzar per construir bicapes retorçades amb angle controlat amb precisió, que s'utilitzaran per caracteritzar les propietats tèrmiques en funció de l'angle relatiu entre capes, proporcionant una visió realista del comportament tèrmic d'aquests materials. |
|---|