Persistence of symmetry-protected Dirac points at the surface of the topological crystalline insulator SnTe upon impurity doping
| Autores: | , , , , , , |
|---|---|
| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2022 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad Politécnica de Madrid |
| Repositorio: | Archivo Digital UPM |
| OAI Identifier: | oai:oa.upm.es:78046 |
| Acceso en línea: | https://oa.upm.es/78046/ |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Materiales topológicos Aislantes topológicos cristalinos Estados electrónicos de superficie Teoría del Funcional de la Densidad |
| Descripción no disponible. |